د سیمیکمډکټر فشار سینسرونه په دوه کټګوریو ویشل کیدی شي، یو یې د اصولو پراساس دی چې د I-υ ځانګړتیاوې د سیمیکمډکټر PN جنکشن (یا سکوتکي جنکشن) د فشار لاندې بدلون راولي. د دې فشار حساس عنصر فعالیت خورا بې ثباته دی او په پراخه کچه وده نه ده شوې. بل سینسر دی چې د سیمیکمډکټر پیزوریزیسټیو اغیزې پراساس دی ، کوم چې د سیمی کنډکټر فشار سینسر اصلي ډول دی. په لومړیو ورځو کې، د سیمی کنډکټر فشار ګیجونه اکثرا د لچک لرونکي عناصرو سره وصل شوي ترڅو مختلف فشار او فشار اندازه کولو وسیلې رامینځته کړي. په 1960 لسیزه کې، د سیمیکمډکټر انټیګریټ سرکټ ټیکنالوژۍ په پراختیا سره، د سیمی کنډکټر فشار سینسر د ډیفیوژن ریزسټر سره د پیزوریزیسټی عنصر په توګه څرګند شو. دا ډول فشار سینسر ساده او د باور وړ جوړښت لري، هیڅ نسبي حرکت کونکي برخې نلري، او د سینسر فشار حساس عنصر او لچک عنصر یوځای شوي، کوم چې د میخانیکي ځنډ او کریپ مخه نیسي او د سینسر فعالیت ښه کوي.

د سیمیکمډکټر Piezoresistive اغیز سیمیکمډکټر د خارجی قوې پورې اړوند ځانګړنه لری، یعنی مقاومت (د سمبول ρ لخوا نمایش کیږی) د هغه فشار سره بدلون مومی چی د پیزوریزیسټیو اثر په نوم یادیږی. د واحد فشار د عمل لاندې د مقاومت نسبي بدلون د پیزوریزیسټیو کوفیینټ په نوم یادیږي، کوم چې د سمبول π لخوا څرګند شوی. په ریاضي کې د ρ/ρ = π σ په توګه څرګند شوی.

چیرته چې σ د فشار استازیتوب کوي. د مقاومت ارزښت (R/R) بدلون چې د فشار لاندې د سیمیکمډکټر مقاومت له امله رامینځته کیږي په عمده ډول د مقاومت د بدلون لخوا ټاکل کیږي ، نو د پیزوریزیسټیو تاثیر څرګندول هم د R/R=πσ په توګه لیکل کیدی شي.

د بهرني ځواک د عمل لاندې، ځینې فشار (σ) او فشار (ε) د سیمیکمډکټر کرسټالونو کې رامینځته کیږي، او د دوی ترمنځ اړیکه د موادو د ځوان ماډل (Y) لخوا ټاکل کیږي، دا Y=σ/ε دی.

که چیرې د پیزوریزیسټیک اغیز د سیمیکمډکټر د فشار په واسطه څرګند شي، دا R/R=Gε دی.

G د فشار سینسر د حساسیت فکتور بلل کیږي، کوم چې د واحد فشار لاندې د مقاومت ارزښت نسبي بدلون استازیتوب کوي.

د Piezoresistive coefficient یا د حساسیت فکتور د سیمیکمډکټر piezoresistive اغیز بنسټیز فزیکي پیرامیټر دی. د دوی ترمنځ اړیکه، لکه د فشار او فشار ترمنځ اړیکه، د موادو د ځوان ماډل لخوا ټاکل کیږي، دا دی، g = π y.

په لچکیت کې د سیمیکمډکټر کرسټالونو د انیسوټروپی له امله، د ځوان ماډل او پیزوریزیسټیو کوفیفیټ د کرسټال سمت سره بدلیږي. د سیمیکمډکټر پیزوریزیسټیو تاثیر اندازه هم د سیمی کنډکټر مقاومت سره نږدې تړاو لري. څومره چې مقاومت ټیټ وي، د حساسیت فکتور کوچنی وي. د خپریدو مقاومت piezoresistive اغیز د خپریدو مقاومت د کرسټال اورینټیشن او ناپاکۍ غلظت لخوا ټاکل کیږي. د ناپاکۍ غلظت په عمده ډول د خپریدو پرت کې د سطحې ناپاکۍ غلظت ته اشاره کوي.