د Piezoresistive سینسر جوړښت

په دې سینسر کې، د مقاومت پټه په مونوکریسټالین سیلیکون ډایفرام کې د ادغام پروسې له لارې مدغم کیږي ترڅو د سیلیکون پیزوریزیسټیو چپ جوړ کړي، او د دې چپ پریرۍ په شیل کې په ثابت ډول بسته شوي، او د الکترود لیډونه بهر ته لیږدول کیږي.د پیزوریزیسټیو فشار سینسر چې د جامد حالت فشار سینسر په نوم هم پیژندل کیږي، د چپکونکي فشار ګیج څخه توپیر لري، کوم چې د لچک لرونکي حساس عناصرو له لارې په غیر مستقیم ډول د بهرني ځواک احساس کولو ته اړتیا لري، مګر په مستقیم ډول د سیلیکون ډایفرام له لارې اندازه شوي فشار احساسوي.

د سیلیکون ډایفرام یو اړخ د لوړ فشار غار دی چې د اندازه شوي فشار سره اړیکه لري او بل اړخ یې د ټیټ فشار غار دی چې د اتموسفیر سره اړیکه لري.عموما، د سیلیکون ډایفراګم د یوې دایرې په توګه ډیزاین شوی چې د ثابت محیط سره وي، او د قطر او ضخامت تناسب شاوخوا 20 ~ 60 دی. د P ناپاکۍ مقاومت څلور پټې په محلي ډول د سیلیکون ډیفراګم کې توزیع شوي او په بشپړ پل سره نښلول شوي، چې دوه یې په فشاري فشار زون کې دي او نور دوه یې د تناسلي فشار زون کې دي، کوم چې د ډایفرام مرکز ته په پام کې نیولو سره همغږي دي.

سربیره پردې، د مربع سیلیکون ډایفرام او سیلیکون کالم سینسر هم شتون لري.د سیلیکون سلنډر سینسر هم د سیلیکون سلنډر د کرسټال الوتکې په یو ټاکلي لوري کې د خپریدو له لارې د مقاومت لرونکي پټو څخه جوړ شوی ، او دوه تناسلي فشار مقاومت لرونکي سټېپونه او دوه فشاري فشار مقاومت لرونکي پټې بشپړ پل جوړوي.

Piezoresistive sensor یوه وسیله ده چې د سیمیکمډکټر موادو په سبسټریټ کې د خپریدو مقاومت لخوا رامینځته کیږي د سیمی کنډکټر موادو د پیزوریزیسټیو اغیزې مطابق.د دې سبسټریټ په مستقیم ډول د اندازه کولو سینسر په توګه کارول کیدی شي ، او د خپریدو مقاومت د پل په شکل په سبسټریټ کې وصل دی.

کله چې سبسټریټ د بهرني ځواک لخوا خراب شي ، د مقاومت ارزښتونه به بدل شي او پل به ورته غیر متوازن محصول تولید کړي.هغه سبسټریټونه (یا ډایفراګمونه) چې د پیزوریزیسټیو سینسرونو په توګه کارول کیږي په عمده ډول د سیلیکون ویفرونه او جرمینیم ویفرونه دي.د سیلیکون پیزوریزیسټیو سینسرونه چې د سیلیکون ویفرونو څخه جوړ شوي د حساسو موادو په توګه ډیر پام ځانته اړولی ، په ځانګړي توګه د فشار او سرعت اندازه کولو لپاره د سالډ سټیټ پیزوریزیسټیو سینسر ترټولو پراخه کارول کیږي.